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产品及解决方案_光电探测器_InGaAs雪崩光电二极管

    

InGaAs雪崩光电二极管

     特点:                       
       高速
       平面正照型
       TO-Can封装或带尾纤输出
       最大可用增益达到20

   
应用:
       光通讯接收设备
       CATV接收机
       OTDR
   
光电特性(T = 22℃):

参    数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值
光谱响应范围(nm λ   1000   1700
光敏面直径(um)     φ50
响应度(A/W) Re λ=1.55um,M=10,φ=1uw 8 8.5  
击穿电压(V) VBR ID=100uA, φ=0 30   60
击穿电压温度系数(V/℃) δ TC=-40~+85   0.1 0.15
暗电流(nA) ID M=10, φ=0   1 10
总电容(pF) Ctot M=10, φ=0,f=1MHz   0.6 1
响应时间(ns) fT M=10, φ=0, λ=1.55um 0.15 0.3 0.5
最大可用增益 Mmax VR=0.98VBR 20    
推荐工作电压(*Vbr) VR M=10, φ=1, λ=1.55um 0.9   0.95

  note:图片仅供参考,尺寸以实物为准,具体性能指标见每支器件参数 

                               地址: 广东省深圳市南山区 南海大道山东大厦B座2303      邮编:518054
                              联系电话:+86(755)26418525                传真:+86(755)26478455

                             
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