|
制冷型光电探测器
特点：
自主封装
可封装InGaAs雪崩光电探测器也可封装SI雪崩光电探测器
带尾纤输出
应用：
传感
测量
测距
环境恶劣的工作场所
光电特性：
|
参 数 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
响应光谱（nm）(InGaAs光电探测器) |
1000 |
|
1700 |
|
响应光谱（nm）(SI光电探测器) |
400 |
|
1100 |
|
响应度（A/W） |
λ = 1300nm(InGaAs光电探测器) |
|
8 |
|
|
λ = 850nm(SI光电探测器) |
|
60 |
|
|
工作电压（V） |
InGaAs光电探测器 |
40 |
|
60 |
|
SI光电探测器 |
120 |
|
200 |
|
TEC工作电压(V) |
|
3 |
5 |
|
TEC工作电流(A) |
0 |
|
2 |
|
工作温度(℃) |
-40 |
|
70 |
|
带宽(-3dB)(加了前置放大后) |
|
200MHZ |
|
|
封装形式 |
|
蝶形8PIN |
|
|
热敏电阻类型 |
|
NTC10K/25℃ |
|
|
是否加前置放大 |
|
可选择 |
|
note:图片仅供参考,尺寸以实物为准,具体性能指标见每支器件参数
|
产品目录