SI雪崩光电探测器

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SI雪崩光电二极管

   特点：
       高速率
       低暗电流
       平面正照结构,进口芯片
    应用：
       测距
       物理化学过程的快速光信号探测
       用于主波取录、YAG 光脉冲测量及光纤通信的光探测
    光电特性(T = 22℃)：

参数	符号	典型值	测试条件
光谱响应范围（nm）	λ	400~1100
光敏面直径(um)		Φ230 Φ500
响应度（A/W）	Re	60	900nm
工作电压（V）	vR	120	f=1MHz,
击穿电压（V）	vBR	140	Ir=10uA,
暗电流（nA）	ID	5
总电容（pF）	Cj	0.8	f=1MHz
响应时间（ns）	tr	0.7

note:图片仅供参考,尺寸以实物为准,具体性能指标见每支器件参数

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