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产品及解决方案_光电探测器_SI雪崩光电二极管

    

SI雪崩光电二极管

   特点:                 
       高速率
       低暗电流
       平面正照结构,进口芯片
   
应用:
       测距
       物理化学过程的快速光信号探测
       用于主波取录、YAG 光脉冲测量及光纤通信的光探测
   
光电特性(T = 22℃):

参    数 符号 典型值 测试条件
光谱响应范围(nm λ 400~1100  
光敏面直径(um)   Φ230 Φ500  
响应度(A/W Re 60 900nm
工作电压(V vR 120 f=1MHz,
击穿电压(V vBR 140 Ir=10uA,
暗电流(nA ID 5  
总电容(pF Cj 0.8 f=1MHz
响应时间(ns tr 0.7  

  note:图片仅供参考,尺寸以实物为准,具体性能指标见每支器件参数

                                   地址: 广东省深圳市南山区 南海大道山东大厦B座2303      邮编:518054
                                  联系电话:+86(755)26418525                传真:+86(755)26478455

                                 
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